大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīn香炉里面放什么东西插香 香炉里面可以放大米吗g)链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大(dà)和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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