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　　美光公(gōng)司武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全(quán)风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审查，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhà武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义n)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最(zuì)大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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