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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。<一共发生过几次世界大战，一共发生了多少次世界大战/p>

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披(pī)露过(guò)美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支一共发生过几次世界大战，一共发生了多少次世界大战(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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