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大龄剩男真的不能嫁吗,男人35岁没结婚基本上完了

大龄剩男真的不能嫁吗,男人35岁没结婚基本上完了 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

  据网信(xìn)办消息,日前(qián),网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患,对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险,影(yǐng)响我国国家安全。为此,网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规,我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

  此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查,目(mù)的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放,只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求,欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

  半导体突(tū)发(fā)!中(zhōng)国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文称,为保障关键信息基础设施供应链安全,防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险,维护(hù)国(guó)家安全,依据(jù)《中华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》,大龄剩男真的不能嫁吗,男人35岁没结婚基本上完了对(duì)美光公司(sī)(Micron)在华销售(shòu)的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头,也(yě)是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一,2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM (内存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降(jiàng),至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商,采(cǎi)购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江大龄剩男真的不能嫁吗,男人35岁没结婚基本上完了波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约,确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性,巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应优势,公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(大龄剩男真的不能嫁吗,男人35岁没结婚基本上完了féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制,或将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤,同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽,催生更多设备需求。据东京电子披露(lù),薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75%。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单,设备国产化进程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份额提(tí)升(shēng),以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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