大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害(hài)国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

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　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)相遇时间的公式 相遇时间怎么求存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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