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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司形容一晃十年的诗句，含有十年的诗句（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美(měi)光等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大、第二大形容一晃十年的诗句，含有十年的诗句和第三大供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产化进程加形容一晃十年的诗句，含有十年的诗句速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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