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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)连云港灌南邮编号是多少现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供(gōng)应(yīng连云港灌南邮编号是多少)优(yōu)势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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