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菠萝蜜切开没熟怎么补救,菠萝蜜切开没熟怎么补救 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突发消(xiāo)息。

  菠萝蜜切开没熟怎么补救,菠萝蜜切开没熟怎么补救trong>美光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查(chá)。

  审查发现,美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患,对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险,影响我国(guó)国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ),网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规,我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

  此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查(chá),目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全,是维护国家(jiā)安全的(de)必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放,只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求(qiú),欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

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  3月31日,中国网信网发文称,为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全(quán),防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn),维护国(guó)家(jiā)安全,依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全法》,网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》,对美(měi)光公司(sī)(Micron)在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止(zhǐ)采购!

  美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头,也是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī),2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57%降至2022年(nián)约(yuē)11%。根(gēn)据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应(yīng)商。

  美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商(shāng)。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年(nián),江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约,确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性,巩固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势(shì),公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

  有券商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析(xī),如果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制,或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì),国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽,催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75%。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名单,设备国产化进程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份额(é)提升,以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海清科(菠萝蜜切开没熟怎么补救,菠萝蜜切开没熟怎么补救CMP)、盛美上(shàng)海(清(qīng)洗)等收(shōu)入增(zēng)长。

 

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