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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办公室一般上大一是多少岁，大一是多少岁哪年的依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的(de)结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(l一般上大一是多少岁，大一是多少岁哪年的ǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公(g一般上大一是多少岁，大一是多少岁哪年的ōng)室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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