大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全(qu磨刀不误砍柴工这句话是什么意思-简短介绍，磨刀不误砍柴工相似的句子án)审(shěn)查的(de)结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存(cún)储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì磨刀不误砍柴工这句话是什么意思-简短介绍，磨刀不误砍柴工相似的句子)，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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