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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日(rì)前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我狗狗临死前为什么嚎叫，狗狗临死前放不下主人的表现国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS 狗狗临死前为什么嚎叫，狗狗临死前放不下主人的表现Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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