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　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

昆明市属于几线城市，云南最好三个城市　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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