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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我为什么懂手机的人都不用华为国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游(yóu)客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 为什么懂手机的人都不用华为SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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