大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng正负数加减法则顺口溜有哪些题目，正负数加减法则顺口溜有哪些呢)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优(yōu)势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)正负数加减法则顺口溜有哪些题目，正负数加减法则顺口溜有哪些呢游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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