大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予七点钟指什么生肖 七点钟是什么时辰(yǔ)通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害(hài)国(guó)家关键信息(xī)基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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