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　　美光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规(gu一方水等于多少吨水，一方水等于多少吨水ī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网一方水等于多少吨水，一方水等于多少吨水(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi一方水等于多少吨水，一方水等于多少吨水)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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