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　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公fio2吸氧浓度计算公式中的4是什么意思，氧合指数的计算公式(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，fio2吸氧浓度计算公式中的4是什么意思，氧合指数的计算公式ng>我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市fio2吸氧浓度计算公式中的4是什么意思，氧合指数的计算公式(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据(jù)等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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