大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我国关键(jiàn)信在办公室做剧烈运动，卫生间做剧烈运动(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入中国(gu在办公室做剧烈运动，卫生间做剧烈运动ó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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