大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性(xìng)结婚祝福语恭喜恭喜是什么意思，恭喜恭喜是什么意思抖音，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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