大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按(àn)照《网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)20切开的南瓜可以放冰箱吗，南瓜切了一半放冰箱能留几天22年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì切开的南瓜可以放冰箱吗，南瓜切了一半放冰箱能留几天)，或(huò)将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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