大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础漠北是现在的哪里，明朝的漠北是现在的哪里设施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网漠北是现在的哪里，明朝的漠北是现在的哪里络安全审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(漠北是现在的哪里，明朝的漠北是现在的哪里nián)美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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