大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查<50只芦丁鸡一年利润，一只芦丁鸡成本利润/strong>

　　据网信(xìn)办消息(xī)50只芦丁鸡一年利润，一只芦丁鸡成本利润，日前，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和(hé)国50只芦丁鸡一年利润，一只芦丁鸡成本利润国家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。