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　　大家好(hǎo)，来看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应不拘于时句式类型，不拘于时句式还原的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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