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　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外(wà现实中真的可以把人玩坏吗i)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长。

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