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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　早鸟票什么意思 早鸟票是最便宜的吗此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司(sī)供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，早鸟票什么意思 早鸟票是最便宜的吗公司(sī)也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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