大(dà)家(jiā)好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)戊申年是哪一年次(cì)对美(měi)光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从(戊申年是哪一年cóng)此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 戊申年是哪一年海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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