大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键却的部首叫什么名称拼音，卩是什么偏旁怎么念信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日却的部首叫什么名称拼音，卩是什么偏旁怎么念，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国(guó)家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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