大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的圆与直线相切公式，圆的面积公式和周长公式结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或(h圆与直线相切公式，圆的面积公式和周长公式uò)将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司(sī)份(fèn)额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

未经允许不得转载：市场调查|社会调查|问卷调查|市场执行|店面验收|神秘客|满意度-提供最专业的市场信息咨询服务-宁波信恒新市场信息咨询有限公司 圆与直线相切公式，圆的面积公式和周长公式