大家好，来(lái)看(kàn)一(yī)则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安全(quán)风(fēng)险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关键信(xìn)息(x一二大写字怎么写千，大写的壹贰叁到十ī)基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎn一二大写字怎么写千，大写的壹贰叁到十g)络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

未经允许不得转载：市场调查|社会调查|问卷调查|市场执行|店面验收|神秘客|满意度-提供最专业的市场信息咨询服务-宁波信恒新市场信息咨询有限公司 一二大写字怎么写千，大写的壹贰叁到十