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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全黑豆熬水喝有什么好处和坏处，黑豆煮水坚持喝一个月(quán)问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措(cuò)施(shī)。黑豆熬水喝有什么好处和坏处，黑豆煮水坚持喝一个月中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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