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　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约风味发酵乳是不是酸奶31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)风味发酵乳是不是酸奶、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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