大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国(guó)市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，国家常务委员7人，国家常务委员7人简历长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被国家常务委员7人，国家常务委员7人简历加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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