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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国(guó)家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēc43排列组合公式怎么算，c43排列组合公式意义n)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清(c43排列组合公式怎么算，c43排列组合公式意义qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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