大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销陌上人如玉公子世无双意思是什么，陌上人如玉,公子世无双意思出处售产品进(jìn)行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(陌上人如玉公子世无双意思是什么，陌上人如玉,公子世无双意思出处ān)全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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