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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

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　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储行在姓氏中读什么音，行在姓氏中读什么拼音、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。行在姓氏中读什么音，行在姓氏中读什么拼音>

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