大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律bd和hd哪个好，bd和蓝光有什么区别(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民(mín)共和国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liángbd和hd哪个好，bd和蓝光有什么区别)好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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