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阿富汗是不是亡国了

阿富汗是不是亡国了 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好(hǎo),来看一(yī)则突发消息。

  美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

  据(jù)网信办消息,日前,网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查。

  审查(chá)发(fā)现,美(měi)光公(gōng)司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患(huàn),对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险,影响我国国家安全。为此,网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我国内关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

  此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查,目的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施(shī)安全(quán),是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng),只要遵(zūn)守中国(guó)法律法(fǎ)规要求,欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停(tíng)止采购(gòu)!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全,防范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险(xiǎn),维护国家(jiā)安全,依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法(fǎ)》,网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的(de)产品(pǐ阿富汗是不是亡国了n)实(shí)施网络安全审查(chá)。

  半导体突(tū)发!中国出(chū)手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美(měi)光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头,也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一,2022年收入来(lái)自中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为(wèi) 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降,至少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē),确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng),巩固公司在(zài)下游市场的供应优势(shì),公司(sī)也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

  有(yǒu)券商此前就分析(xī),如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì),或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)阿富汗是不是亡国了层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽,催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露,薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合(hé)计为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单,设备国产化进程加速(sù),看好拓(tuò)荆科技(薄(báo)膜沉积)等(děng)相关公司份额提升,以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等收入增长。

 

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