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　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)北京亦庄开发区属于哪个区的 北京亦庄是几环室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片北京亦庄开发区属于哪个区的 北京亦庄是几环行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在(zài)下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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