大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品(pǐn)存(c一本书多重，一本书多重有一斤吗ún)在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)一本书多重，一本书多重有一斤吗公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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