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　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络(lu手机话费交了能退吗ò)安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关(guān)键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全(quá手机话费交了能退吗n)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn手机话费交了能退吗)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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