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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放(fàng)1lb等于多少斤kg，10lb等于多少斤，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(x1lb等于多少斤kg，10lb等于多少斤īn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生(shē1lb等于多少斤kg，10lb等于多少斤ng)更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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