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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题危害(h水浒传史进的主要事迹概括，水浒传史进的主要事迹有哪些ài)国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76水浒传史进的主要事迹概括，水浒传史进的主要事迹有哪些％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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