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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了(le)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的(de)供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储(chǔ)器回复好和好的的区别在哪里，好,好的区别(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在回复好和好的的区别在哪里，好,好的区别已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设回复好和好的的区别在哪里，好,好的区别备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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