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祈使句例子英语,祈使句例子10个 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突发(fā)消息(xī)。

  美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

  据(jù)网信(xìn)办消息,日(rì)前,网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

  审查发现(xiàn),美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn),对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险(xiǎn),影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ),网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规,我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

  此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查,目(mù)的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán),是维护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放,只要遵守中国法律法规(guī)要求,欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体(tǐ)突发!中国出手(shǒu):停止采(cǎi)购!

  3月31日(rì),中国网(wǎng)信网发文称,为保障关键信息基础设施供应链安全,防范产品问题隐患造成网络安全风险,维护(hù)国家(jiā)安全,依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》,网络安(ān)祈使句例子英语,祈使句例子10个全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

  半导体突(tū)发(fā)!中国出手:停止采购!

  美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头,也(yě)是全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一,2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。祈使句例子英语,祈使句例子10个

  美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng),至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约,确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的稳(wěn)定性,巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势,公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì),或将导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士,国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分(fēn)析称,长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤,同时刻蚀目(m祈使句例子英语,祈使句例子10个ù)前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露,薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75%。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单,设备国产化进程加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份额提升,以及存(cún)储业务(wù)占比较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗(xǐ))等收(shōu)入增长。

 

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