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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安全，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储831143是什么意思(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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