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　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安洗面奶含皂基成分好不好，长期使用氨基酸洗面奶的危害(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江洗面奶含皂基成分好不好，长期使用氨基酸洗面奶的危害波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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