大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的环境污染有哪些方面，环境污染有哪些英语结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施(shī)网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fè环境污染有哪些方面，环境污染有哪些英语<环境污染有哪些方面，环境污染有哪些英语/span>n)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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