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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，没事吃点护肝片好不好，女人吃护肝片的好处rong>我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范产品网络(luò)安全(quán)问题(tí)危(wēi)害(hài)国(guó)家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì没事吃点护肝片好不好，女人吃护肝片的好处)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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