大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依(yī)法对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高23岁属什么生肖(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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