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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害国(guó)家关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称杰威尔属于什么档次，男士护肤品十大排行榜10强，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(杰威尔属于什么档次，男士护肤品十大排行榜10强: #ff0000; line-height: 24px;'>杰威尔属于什么档次，男士护肤品十大排行榜10强chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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